Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
transistor latéral — šoninis tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral transistor vok. lateraler Transistor, m rus. боковой транзистор, m pranc. transistor latéral, m … Radioelektronikos terminų žodynas
lateraler Feldeffekttransistor — šoninis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral field effect transistor vok. lateraler Feldeffekttransistor, m rus. боковой полевой транзистор, m pranc. transistor à effet de champ latéral, m … Radioelektronikos terminų žodynas
transistor à effet de champ latéral — šoninis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral field effect transistor vok. lateraler Feldeffekttransistor, m rus. боковой полевой транзистор, m pranc. transistor à effet de champ latéral, m … Radioelektronikos terminų žodynas
lateral transistor — šoninis tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral transistor vok. lateraler Transistor, m rus. боковой транзистор, m pranc. transistor latéral, m … Radioelektronikos terminų žodynas
lateral field-effect transistor — šoninis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral field effect transistor vok. lateraler Feldeffekttransistor, m rus. боковой полевой транзистор, m pranc. transistor à effet de champ latéral, m … Radioelektronikos terminų žodynas
šoninis tranzistorius — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral transistor vok. lateraler Transistor, m rus. боковой транзистор, m pranc. transistor latéral, m … Radioelektronikos terminų žodynas
боковой транзистор — šoninis tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral transistor vok. lateraler Transistor, m rus. боковой транзистор, m pranc. transistor latéral, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Bipolartransistor/Ersatzschaltungen — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Ebers-Moll Modell — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Großsignal-Ersatzschaltbild — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
